人民财讯9月8日电，据捷佳伟创（300724）消息，近日，捷佳伟创联合中山大学材料学院成功攻克了透明导电氧化物(TCO)薄膜的技术瓶颈，创新性地提出“临界成核策略”，成功制备出高电子迁移率的铈掺杂氧化铟(ICO)薄膜。该研究成果已于近日以《Eliminating Mobility-Thickness Dependence in Transparent Conductive Oxide Layer Growth:A Critical Nucleation Strategy》为题发表于国际顶级材料期刊《Advanced Materials》。
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